Toshiba lanza MOSFET de carburo de silicio (SiC) de tercera generación con pérdidas de conmutación reducidas

Los nuevos dispositivos en paquete de 4 pines ofrecen un rendimiento de conmutación mejorado de MOSFET en aplicaciones industriales

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha lanzado la serie TWxxxZxxxC de diez MOSFET de carburo de silicio (SiC) basados ​​en su tecnología de tercera generación. Su objetivo es reducir las pérdidas en una amplia variedad de aplicaciones industriales, incluidas fuentes de alimentación conmutadas para servidores y centros de datos, estaciones de carga de vehículos eléctricos (EV), inversores fotovoltaicos (PV) y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

Los dispositivos de la serie TWxxxZxxxC son los primeros productos Toshiba SiC alojados en un encapsulado TO-247-4L(X) con un cuarto pin. Esto permite proporcionar una conexión Kelvin del terminal de fuente de señal para el accionamiento de puerta, reduciendo así los efectos de inductancia parásita del cable fuente interno y mejorando el rendimiento de conmutación de alta velocidad. La comparación del TW045Z120C con el TW045N120C existente de Toshiba (TO-247 de 3 pines) muestra una mejora en la pérdida de encendido de aproximadamente un 40%, mientras que la pérdida de apagado mejora en aproximadamente un 34%.

La nueva serie TWxxxZxxxC incluye cinco dispositivos con una clasificación de fuente de drenaje (VDSS) de 650 V y cinco dispositivos más con una clasificación de 1200 V para aplicaciones de mayor voltaje. Los valores típicos de resistencia de conexión de la fuente de drenaje (RDS(ON)GD) permitirán bajas pérdidas incluso en aplicaciones de alta frecuencia.

Los dispositivos son capaces de entregar corrientes de drenaje continuas (ID) de hasta 100 A.

FUENTE:toshiba